INVESTIGADORES
BUDINI nicolas
congresos y reuniones científicas
Título:
Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtención de láminas delgadas de silicio policristalino
Autor/es:
N. BUDINI; J. A. SCHMIDT; R. D. ARCE
Lugar:
Santa Fe
Reunión:
Jornada; 11er. Encuentro de Jóvenes Investigadores de la UNL. 2do. Encuentro de Jóvenes Investigadores de Universidades de Santa Fe; 2007
Institución organizadora:
Universidad Nacional del Litoral
Resumen:
El silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) es un semiconductor de gran interés en aplicaciones fotovoltaicas; pero su gran desventaja es la degradación intrínseca que presenta al ser iluminado, lo cual disminuye la eficiencia de los dispositivos producidos. Este proceso de fotodegradación se llama efecto Staebler-Wronski. Para superar esta dificultad, en este trabajo se propone depositar películas delgadas (~1 μm de espesor) del material amorfo bajo condiciones específicas, a bajas temperaturas y altas velocidades, y luego someterlo a tratamientos térmicos para obtener un material policristalino con mejores propiedades eléctricas. Esto requiere el estudio del crecimiento de los granos cristalinos y de la interfase entre ellos, llamada borde de grano. La presencia de hidrógeno, que se incorpora en el proceso de deposición de la película, es crucial en la etapa de cristalización.