Dependencia de la longitud de difusión de portadores minoritarios con la temperatura, en a-Si:H

N. BUDINI; F. VENTOSINOS; J. A. SCHMIDT; R. D. ARCE; R. R. KOROPECKI; R. H. BUITRAGO

Capital Federal, Buenos Aires

Congreso; 93ra. Reunión Nacional de Física - AFA 2008; 2008

Asociación Física Argentina (AFA)

La técnica SSPG (Steady State Photo-carrier Grating) fue introducida por Ritter, Zeldov y Weiser [1] como un método para medir la longitud de difusión ambipolar de los portadores fotogenerados en semiconductores. En este experimento se ilumina la muestra con dos haces coherentes de luz láser, uno de alta intensidad y el otro de baja intensidad choppeado a frecuencia f. La interferencia entre ambos haces crea un patrón periódico de concentración de portadores libres; y comparando este período con la longitud de difusión se determina este último parámetro. En este trabajo utilizamos la técnica SSPG para medir la longitud de difusión ambipolar en función de la temperatura de una muestra de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H). Dicho resultado experimental se compara con el resultado teórico que surge de modelar el método para una dada densidad de estados. Se hace una breve reseña de ambos desarrollos, y por último se muestran los resultados y las conclusiones. [1] D. Ritter, K. Weiser, and E. Zeldov, J. Appl. Phys. 62, 4563 (1987).