Din´amica de caja y subdifusional de los iones m´oviles en el metasilicato de litio.

BALBUENA, C.; FRECHERO M. A.; MONTANI R.

Congreso; 101a Reuni´on de la Asociaci´on F´ısica Argentina; 2016

Utilizando el formalismo de la Din´amica Molecular, en el presente trabajo se estudiaron los procesos elementales involucrados en el fen´omeno de transporte de carga en el metasilicato de litio (Li2SiO3). Este ´ultimo puede ser considerado como un vidrio paradigm´atico, ya que est´a constituido por dos subsistemas con comportamientos din´amicos bien diferenciados: uno formado por los cationes m´oviles de litio y otro muy poco m´ovil, dado por su matriz v´ıtrea en este caso formada por ox´ıgeno y silicio. La din´amica a tiempos cortos determina el posteriortrasporte de carga en un vidrio i´onico y al ser este uno de los par´ametros relevantes para sus aplicaciones resulta pertinente su estudio.En este trabajo se us´o el M´etodo Isoconfiguracional que permite remover los efectos de momento para poder explorar la propensi´on al movimiento de los cationes m´oviles. As´ı, se ha podido mostrar que existen dos tipos de entornos para los cationes encargados del transporte de carga: uno de muy baja propensi´on (LP) y otro de alta propensi´on (HP. Esta discriminaci´on (y caracterizaci´on) de los diferentes entornos permiti´o describir el comportamiento din´amico de los cationes a tiempos cortos: esto es en el r´egimen de ?caging? donde se define el  fen´omeno macrosc´opico conocido como Nearly Constant Loss. Efectivamente, los resultados obtenidos permiten concluir que para los cationes m´oviles alojados en sitios LP puede esperarse que adopten para su evoluci´on din´amica el mecanismo de salto (?hopping?) entre sitios, queobviamente implica la existencia de un tiempo de residencia en los mismos. Por otra parte, para los cationes alojados en sitios HP, estos evolucionan de manera continua debido a que (como hemos demostrado previamente) los sitios HP est´an altamente conectados entre si y forman los denominados ?canales de conducci´on?.