Efecto del Ion Móvil Mixto en semiconductores vítreos a base de óxido de Telurio y Vanadio.

M. A. FRECHERO; R. S. PETTIGROSSO; R. A. MONTANI

Huerta Grande- Córdoba - Argentina

Congreso; Segunda reunión Nacional. Sólidos 2007; 2007

Universidad Nacional de Córdoba

Expositor: Marisa Frechero Titulo: Efecto del Ion Móvil Mixto en semiconductores vítreos a base de óxido de Telurio y Vanadio. Autores: MA Frechero, RS Pettigrosso y RA Montani   Cuando en el semiconductor vítreo formado por los óxidos de Telurio (como óxido formador) y Vanadio (como óxido formador-modificador) se reemplaza parcialmente a este último por un óxido metálico (óxido modificador) -como en este caso óxido de Litio u óxido de Plata- el  vidrio se comporta como  un conductor eléctrico mixto i.e.  presenta simultáneamente conductividad iónica y electrónica. Esta migración eléctrica se produce por caminos independientes según fuera demostrado en nuestros trabajos previos. El presente  trabajo tuvo como objetivo estudiar cuál es el efecto sobre la conductividad eléctrica cuando el catión móvil Litio es reemplazado paulatinamente  por el de Plata en un vidrio de composición: 0.7[r Ag2O (1-r) Li2O]. 0.3 [0.5 V2O5 0.5 MoO3].2 TeO2 (con  0£  r  £1). En este caso particular, la fracción total elegida de óxido modificador es igual a 0.7 y corresponde a una composición en la cual la conductividad es predominantemente iónica. Las técnicas experimentales de espectroscopia de Impedancia Compleja, Difracción de rayos X y el análisis térmico diferencial (DTA) permitieron analizar las variaciones introducidas en la matriz vítrea por los diferentes óxidos metálicos. A partir de los resultados obtenidos puede concluirse que el reemplazo gradual del catión Litio por el catión Plata genera efectos en la conductividad eléctrica que pueden ser interpretados haciendo uso del concepto de  “ión móvil mixto” (MMI).