INVESTIGADORES
SCHMIDT javier Alejandro
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio de propiedades ópticas y eléctricas del Silicio Amorfo Hidrogenado intrínseco y dopado tipo-n
Autor/es:
P. HIERREZUELO; G. A. RISSO; J. A. SCHMIDT
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; 102º Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2017
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
El silicio amorfo es un material semiconductor cuyas sus propiedades intrínsecas pueden ser modificadas por la incorporación de hidrógeno en su estructura, al punto de conformar un nuevo material: el silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H). Utilizando para la obtención de las muestras un reactor de Plasma-CVD, se prepararon series de muestras variando las proporciones de silano (SiH4), fosfina (PH3) e hidrógeno (H2) utilizadas, la temperatura y el tiempo de deposición. Se estudió la influencia del contenido de hidrógeno sobre las propiedades ópticas y eléctricas. Se realizaron mediciones de transmitancia óptica en función de la longitud de onda para determinar el espesor, gap-óptico e índice de refracción de las muestras. También se realizaron mediciones de efecto Hall para obtener la concentración de dopantes y la movilidad Hall, y mediciones de conductividad en función de la temperatura para determinar la energía de activación de las muestras semiconductoras. Estos parámetros se estudiaron en función de la concentración de hidrógeno dentro del material. Se obtuvo una descripción inicial de las propiedades del a-Si:H, en vistas a su aplicación en celdas solares de silicio tipo heterojuntura amorfo/cristalino.