CONICET | Buscador de Institutos y Recursos Humanos

En este trabajo se analiza el efecto de la concentración de hidrógeno (H) en el proceso de cristalización inducida por níquel (NIC) de películas delgadas de silicio amorfo hidrogenado intrínseco (a-Si:H) depositadas sobre vidrio. Estas películas se depositan por el método de deposición química desde la fase de vapor asistida por plasma (PECVD) y las diferentes concentraciones de hidrógeno se logran variando la temperatura del sustrato durante ladeposición. Se utilizan temperaturas en el rango comprendido entre 150 y 400 ºC, dando lugar a concentraciones de H entre 0 y 20 %. En un trabajo reciente [1] se analizó la influencia del H en la microestructura y en la cristalización directa del a-Si:H, por lo que en este trabajo se busca extender la investigación a la cristalización mediante la técnica NIC. El Ni es un metal de transición que, agregado en muy pequeñas cantidades, permite inducir el crecimiento de granos cristalinos en el a-Si:H de tamaño mucho mayor al que se obtiene al cristalizar el a-Si:H directamente en horno convencional. El Ni es depositado sobre las películas de a-Si:H por pulverizado catódico (sputtering) de un blanco de Ni, obteniéndose densidades superficiales del orden de 10^15 át./cm^2 (menor a una monocapa). Luego, la cristalización se realiza en horno convencional, a presión atmosférica bajo flujo de nitrógeno y a una temperatura de 580 ºC después de una etapa de deshidrogenación a 420 ºC. Los recocidos se llevan a cabo escalonadamente para ir siguiendo la evolución de la cristalización para los diferentes contenidos de H en las muestras. La cristalización es monitoreada luego de cada etapa mediante microscopía óptica, reflectanciaen el ultravioleta y difracción de rayos X. Además, se llevan a cabo mediciones de las características eléctricas de las muestras de partida y luego de las muestras completamente cristalizadas para determinar la aptitud de las películas para su uso en dispositivos fotovoltaicos.

enviar mensaje