INVESTIGADORES
SCHMIDT javier Alejandro
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio de junturas p?n de silicio depositadas mediante sputtering de RF
Autor/es:
PERALTA, M.; BUDINI, N.; SCHMIDT, J. A.; RISSO, G.; ARCE, R. D.; BUITRAGO, R. H.
Lugar:
Puerto Iguazú, Misiones
Reunión:
Congreso; Congreso Internacional en Ciencia y Tecnología en Metalurgia y Materiales; 2013
Institución organizadora:
Asociación Argentina de Materiales
Resumen:
Las junturas semiconductoras son capaces de separar cargas eléctricas fotogeneradas (electrones y huecos) y constituyen por lo tanto el elemento activo de los dispositivos fotovoltaicos. En este trabajo se depositaron homojunturas de silicio (Si) en forma de películas delgadas sobre vidrio mediante bombardeo catódico (sputtering) de obleas de Si cristalino (c-Si). El dopaje de las películas (tipo p o n) puede controlarse con buena precisión dado que se conoce el rango de resistividad de la oblea de c-Si utilizada como blanco en el proceso de sputtering. Las películas así obtenidas se encuentran en estado amorfo (a-Si) y poseen una gran densidad de defectos estructurales, principalmente enlaces colgantes (o dangling bonds). Por tal motivo, se sometieron las películas a un proceso de recocido térmico en horno convencional para transformarlas en dispositivos útiles desde el punto de vista fotovoltaico. El recocido permite cristalizar el a-Si, transformándolo en un material nano-, micro- o poli-cristalino, dependiendo del tamaño final de los dominios cristalinos engendrados, el cual a su vez determina las propiedades eléctricas de la juntura. Una vez cristalizadas las películas, se llevaron a cabo mediciones de las propiedades eléctricas de las mismas para caracterizarlas y analizar su funcionamiento. Se exploraron diferentes alternativas para optimizar el proceso de fabricación de estas películas y mejorar las propiedades de los dispositivos fabricados, con el objetivo final de obtener celdas solares por medio de un proceso simple y de bajo costo.