Silicio policristalino obtenido por cristalización inducida por níquel depositado por medio húmedo

BUDINI, N.; PERALTA, M. ; GARCÉS, F.; SCHMIDT, J. A.; ARCE, R. D.

Villa Carlos Paz

Congreso; 97º Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2012

Asociación Física Argentina

El silicio policristalino (pc-Si) en película delgada es un material de bajo costo con interesantes aplicaciones en microelectrónica y dispositivos fotovoltaicos. El mismo puede obtenerse a partir de la cristalización en fase sólida del silicio amorfo (a-Si), que puede llevarse a cabo de diferentes maneras. Una de ellas es la técnica de cristalización inducida por metales (MIC) que, mediante la presencia de algún metal catalizador, permite alcanzar tamaños de grano mayores a los obtenidos con la técnica estándar de recocido en horno convencional. El níquel ha sido uno de los metales más estudiados para este propósito, ya que se requieren cantidades muy pequeñas del mismo (~ 10^14 át./cm^2, < 1 monocapa). Generalmente estas densidades superficiales de Ni pueden depositarse sobre la superficie del a-Si por el método de sputtering o bombardeo catódico de un blanco de Ni, en un sistema de alto vacío. En este trabajo se investigaron dos métodos alternativos de deposición de Ni sobre películas de a-Si a partir de una solución húmeda. La principal ventaja de ellos con respecto al sputtering, es que pueden llevarse a cabo a presión atmosférica y temperatura ambiente o cercana a 100ºC, simplificando el proceso. Estos métodos consisten simplemente en mojar la superficie del a-Si con la solución, ya sea por inmersión (dipping) o por recubrimiento centrífugo (spin-coating), y en el posterior secado de la misma. El estudio se basó en buscar las condiciones adecuadas de aplicación de cada método para obtener películas de pc-Si con el mayor tamaño de grano posible luego de un proceso de cristalización en fase sólida inducida por Ni.