Caracterización de semiconductores con el metodo de red oscilante de fotoportadores

VENTOSINOS, F.; BUDINI, N.; LONGEAUD, C.; SCHMIDT, J. A.

Malargue

Congreso; 95º Reunión Nacional de Física; 2010

Asociacion Fisica Argentina

En este trabajo se propone un nuevo método para la caracterización de semiconductores, que denominamos Red Oscilante de Fotoportadores. Consiste en hacer interferir dos haces de luz sobre una muestra provista de contactos coplanares, midiendo su conductividad. Al hacer pasar uno de los haces por un modulador electro-óptico, se controla la fase de este haz sin cambiar su polarización. De esta forma se obtiene un patrón de interferencia que oscila a una frecuencia dada w, moviéndose alternativamente con velocidad constante en una y otra dirección. Esto genera una corriente ac que puede ser leída con un amplificador lock-in, facilitando su medición. Para una correcta descripción y ejecución del experimento se analizaron y resolvieron las ecuaciones de transporte que gobiernan el fenómeno. Las soluciones analíticas obtenidas nos permitieron simular numéricamente el experimento, corroborando así las características generales de las curvas obtenidas bajo diferentes condiciones experimentales (campos eléctricos aplicados, períodos de interferencia y tasas de generación de portadores). Las variaciones observadas en las curvas al modificar estos parámetros nos permitieron correlacionar los datos experimentales con un tiempo de respuesta característico del material estudiado. El conocimiento de este tiempo es interesante desde el punto de vista de la aplicación de este material en la producción de dispositivos fotovoltaicos.