INVESTIGADORES
SCHMIDT javier Alejandro
artículos
Título:
Caracterización óptica y eléctrica de películas delgadas semiconductoras de silicio microcristalino dopadas con boro
Autor/es:
A. DUSSAN; R. ARCE; J. A. SCHMIDT; R. R. KOROPECKI
Revista:
REVISTA COLOMBIANA DE FÍSICA
Editorial:
Sociedad Colombiana de Física
Referencias:
Lugar: Santiago de Cali; Año: 2007 vol. 39 p. 99 - 102
ISSN:
0120-2650
Resumen:
En este trabajo fueron fabricadas películas delgadas de silicio microcristalino a través del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma, usando una mezcla de 94% de hidrógeno y 6% de silano (SiH4), adicionando diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de Boro fue variada entre 0 y 100 ppm. Los efectos de la concentración de Boro sobre las propiedades ópticas fueron investigados a través de medidas de transmitancia espectral y el método de la fotocorriente constante (CPM). Las constantes ópticas, el espesor de la película y el gap del material fueron obtenidos a través de éstas medidas. Las medidas de CPM mostraron que un incremento en el nivel de doping causa un aumento sistemático en los espectros del coeficiente de absorción para la región de baja energía. Información sobre las propiedades eléctricas fue obtenida a través de medidas de fotoconductividad y conductividad a oscuras. Las medidas de conductividad a oscuras revelaron que la energía de activación aumenta para concentraciones mayores a 25 ppm y decrece para concentraciones más altas de Boro.