INVESTIGADORES
GIL REBAZA Arles Victor
congresos y reuniones científicas
Título:
Propiedades electrónicas y estructurales del semiconductor GaAs dopado con Al o In con aplicaciones en celdas fotovoltaicas
Autor/es:
I. ARELLANO RAMIREZ; A.V. GIL REBAZA; S. AMAYA RONCANCIO; E. RESTREPO-PARRA
Lugar:
Bariloche
Reunión:
Congreso; 107° Reunión de la Asociación Física Argentina - 107 RAFA; 2022
Resumen:
El arseniuro de galio (GaAs) ha jugado un rol importante en el desarrollo de nuevas tec-nologías de semiconductores. Una de éstas es la generación de energía eléctrica por medio del efecto fotovoltaico, debido a las propiedades únicas que incluyen una banda prohibidadirecta, la cual puede ser ajustable con el tipo de átomo dopante y concentración de dopajedel GaAs. En este trabajo se estudian las propiedades estructurales y estructura electrónica del GaAs dopado con Al, AlxGa1-xAs, y con In, InxGa1-xAs, en diferentes concentraciones: x= 0; 0.25; 0.50; 0.75 y 1.00. Para esto se realizarán cálculos ab-initio basado en la Teoría dela Funcional Densidad, donde las ecuaciones autoconsistentes de Kohn-Sham serán resuel-tas por medio del método de ondas planas y pseudopotenciales, implementado en el código Quantum Espresso. La parte de intercambio-correlación será descrito por la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof de la aproximación del gradiente generalizado (PBE-GGA). Con la finalidad de obtener diferentes valores de x, se usará el método de supercelda. Además,con el objetivo de obtener una buena descripción del ancho de banda prohibida (band-gap)de estos semiconductores, se usará la funcional híbrida HSE06. Finalmente, se intentará de-terminar que sistemas presentan las condiciones adecuadas para potenciales aplicación enceldas fotovoltaicas basándonos principalmente con el valor del band-gap.