INTERCAMBIO POR REACCION EN FASE SOLIDA DE IMPUREZAS Hf EN SITIOS CATIONICOS DEL OXIDO DE TULIO

G. N. DARRIBA; L. A. ERRICO; M. RENTERÍA

Córdoba, argentina

Congreso; 87º reunión de la Asociación de Física; 2002

La inclusión controlada de impurezas en materiales semiconductores y aisladores en sitios precisos de la red huésped reviste un alto interés tecnológico para la modificación de propiedades estructurales y electrónicas del material. La determinación del gradiente de campo eléctrico (GCE) en el sitio de impureza, observable altamente sensible a la densidad de carga en su entorno nanoscópico, es una herramienta poderosa no sólo para monitorear la eficacia del proceso de dopaje sino también para estudiar in situ propiedades estructurales y electrónicas en el sitio de impureza [Errico et al., Phys. Rev. Lett. 89, 055503 (2002)]. En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas Hf en sitios sustitucionales de catión en Tm2O3 por reacción en fase sólida asistida por molido mecánico de HfO2 (activado por irradiación neutrónica) y el óxido de tierra rara, proceso demostrado exitoso para otro compuesto isoestructural con mayor parámetro de red. Las interacciones  hiperfinas en sitios de intercambio fueron monitoreadas durante distintas etapas del proceso con  la sonda 181Ta (obtenidas en el decaimiento beta- del 181Hf)  utilizando la técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas. El carácter sustitucional del proceso de intercambio es discutido y demostrado a la luz de una sistemática establecida para GCEs en óxidos de tierras raras isoestructurales.