Determinación de la Orientación del GCE en monocristales de -Al2O3:Ta

M. RENTERÍA; G. N. DARRIBA; L. A. ERRICO; E. L. MUÑOZ; P. D. EVERSHEIM

Bahía Blanca, Argentina

Congreso; 89º reunión de la Asociación de Física Argentina; 2004

Recientemente, métodos como el “Full-Potential Linearized-Augmentd Plane-Waves” (FP-LAPW) en el marco de la teoría de la Funcional Densidad (DFT) han sido aplicados con éxito al estudio de semiconductores dopados, permitiendo la descripción de interesantes propiedades estructurales y electrónicas en impurezas metálicas. Debido a la excelente descripción de la densidad de carga en el entorno de la impureza, el método FP-LAPW permite hoy  uno de los cálculos más precisos del tensor gradiente de campo eléctrico (GCE). La determinación de la orientación del GCE , un observable físico   adicional a los que pueden determinarse usualmente en experimentos PAC con muestras policristalinas (como la magnitud y asimetría del tensor), puede convertirse en un factor determinante a la hora de dilucidar entre distintos modelos que describan el GCE en sitios de impureza en semiconductores [PRL 89, 55503 (2002)] y, al mismo tiempo, chequear las aproximaciones que se realizan en la DFT y las propiedades que de ellas se obtienen [PRB 67, 144104 (2003)]. En este trabajo presentamos resultados preliminares de experimentos PAC en monocristales de a-Al2O3 implantados con iones 181Hf en el ISKP de Bonn y medidos en La Plata. La magnitud, asimetría y orientación del tensor GCE (con respecto a los ejes cristalinos) se determinaron midiendo las curvas  rotación de espín en función de las diferentes orientaciones del monocristal respecto al sistema de laboratorio. Los resultados son analizados en el marco de calculos ab initio y del modelo de cargas puntuales y con resultados PAC en otras impurezas y el mismo huésped.