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El Cu2ZnSnS4 (CZTS) es un semiconductor cuaternario tipo p que esta siendo estudiado intensivamente por ser un candidato con excelentes características para utilizarlo en dispositivos fotovoltaicos de película delgada. Las principales ventajas incluyen su band gap directo (1.45-1.50 eV) y alto coeficiente de absorción (por encima de 104 cm−1). Además, todos los elementos constitutivos de CZTS son abundantes y poco contaminantes. Entre los métodos para producir películas delgadas CZTS, los métodos electroquímicos presentan características atractivas: son economicos (principalmente porque no requieren altas temperaturas altas o vacío), pueden ser utilizados en sustratos flexibles y grandes (incluso en geometrías complejas) y pueden ser llevados a escala industrial. En este trabajo se apunta a ensamblar una celda solar electrodepositando películas delgadas de CZTS y ZnO. La deposición del ZnO se llevó adelante como se ha descripto anteriormente [1]. Las capas de CIS se prepararon utilizando una solución precursora que contiene xx mol/L de CuCl2, XX de ZnCl2, XX de... y XX de XXX. La deposición potenciostática se llevó adelante un solo paso aplicando -1.1 V vs Ag/AgCl durante 1 hora. La pelicula se somete luego a un proceso de recocido manteniendola durante XX h a XXXºC en atmosfera de vapor de S. La estructura cristalina de las películas se caracterizó por DRX y espectroscopía micro Raman, mientras que la morfología, espesor, topografía y la composición elemental se abordaron con perfilometría, SEM y EDS. El Eg se evaluó a través de espectros UV-Vis. Los resultados de los parámetros obtenidos están en buen acuerdo con los datos en bibliografía. R1 R2 Se analizó la respuesta voltaje-corriente en oscuridad y bajo iluminación con un simulador solar para analizar la respuesta fotovoltaica y la eficiencia de la celda. Es necesario optimizar los parámetros de síntesis, particularmente la composición de la solución precursora de CZTS y el recocido para mejorar la eficiencia de la celda solar.

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