Modelización ab initio del fenómeno de "After-Effects" en los semiconductores SnO y SnO2 dopados con 111In(--> 111Cd).

G. N. DARRIBA; D. RICHARD; E. L. MUÑOZ; J. RUNCO; A. W. CARBONARI; H. M. PETRILLI; M. RENTERÍA

CABA

Congreso; 103° Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2018

AFA

El fenómeno denominado "after-effects" hace referencia a los procesos producidos por la relajación electrónica de un átomo-sonda, posteriores al decaimiento por captura electrónica de su padre radiactivo. Experimentalmente han sido observados y corroborados mediante la técnica hiperfina de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (TDPAC) en diversos óxidos semiconductores y aisladores dopados con 111In(--->111Cd). Éste fenómeno es evidenciado por la presencia de interacciones hiperfinas dinámicas (dependientes del tiempo), reversibles con la temperatura de medida y que responden a un factor de perturbación del tipo "on-off".En este trabajo comparamos resultados de experimentos TDPAC en SnO y SnO2 dopados con 111In(--->111Cd) con cálculos ab initio de estructura electrónica (basados en DFT). A partir de este doble abordaje proponemos un escenario en el cual la relajación electrónica del 111Cd, desde un estado inicial altamente ionizado (posterior al decaimiento nuclear) hacia un estado electrónico final estable, producida en el tiempo que dura la ventana temporal de la medida TDPAC, da origen a la interacción hiperfina dinámica observada experimentalmente. De este modo proponemos que la presencia de gradientes de campo eléctrico (GCE) temporalmente fluctuantes asociados con las distintas configuraciones electrónicas (de la impureza y su entorno) durante el proceso de relajación, son el origen del carácter dinámico de la interacción hiperfina presente, y que el estado electrónico final alcanzado no solo depende de la naturaleza de la impureza sino también de la naturaleza del sistema huésped.