Estudio FP-APW+lo de interacciones hiperfinas en el óxido ZnO dopado con impurezas Cd y Co.

E.L. MUÑOZ; L.F.D. PEREIRA; M.E. MERCURIO; M.R.CORDEIRO; A.W. CARBONARI; J. MESTNIK-FILHO; M. RENTERÍA

San Miguel de Tucumán

Congreso; IV Reunión Nacional de Sólidos 2011; 2011

UNT

En el presente trabajo presentamos cálculos FP-APW+lo de densidad electrónica realizados en el semiconductor ZnO dopado adicionalmente con impurezas Cd yCo. Los cálculos son comparados con medidas experimentales realizadas en ZnO medido con la sonda PAC 111In((EC)→111Cd) y dopado con Co [1]. Las medidasPAC publicadas en [7] fueron ajustadas con una interacción hiperfina combinada (eléctrica y magnética) lo que infiere la presencia de campo magnético en el sitiode la sonda 111In(→111Cd). De la buena comparación entre los cálculos ab initio del GCE calculado en el sitio del Cd y las medidas PAC publicadas proponemos unescenario que describe la localización de ambas impurezas en la red huésped, las relajaciones estructurales y electrónicas producidas en la matriz debido a lainclusión de tales impurezas y se explica la presencia de magnetismo atribuido al efecto de la impureza magnética en el sistema dopado.