INVESTIGADORES
RENTERIA Mario
congresos y reuniones científicas
Título:
Ferromagnetismo en películas delgadas de TiO2
Autor/es:
DUHALDE S.; VIGNOLO M. F.; GOLMAR F.; CHILIOTTE C.E.; RODRÍGUEZ TORRES C. E.; ERRICO L. A.; CABRERA A.F.; RENTERÍA M.; SÁNCHEZ F. H.; WEISSMANN M.
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; 90° Reunión Nacional de Física; 2005
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
En los últimos años, los semiconductores magnéticos diluidos(SMD) han concitado el interés científico mundialdebido en gran medida a su potencial aplicación en dispositivosmagneto-ópticos y para espintrónica. Algunos autoresproponen que el ferromagnetismo encontrado en películasdelgadas de TiO2:Co está mediado por portadores comoen el caso de los DMS basados en elementos III-V. Otroshan encontrado que el orígen del ferromagnetismo se debea la formación de clusters de Co en la estructura de TiO2.Más recientemente, la idea de que defectos y vacancias sonfundamentales para la aparición de ferromagnetismo, hacobrado vigor, aun en otros sistemas. Con el fin de estudiarel rol de los dopantes y de las vacancias de oxígeno enel comportamiento magnético de estos óxidos, se depositarony caracterizaron pel´ıculas delgadas de TiO2 sin dopary dopadas con Cu y Zn. Complementariamente, se realizaroncálculos ab-initio, utilizando el método de supercelda.En las muestras dopadas con Cu se encontró experimentalmenteun momento magnético sorprendemente alto de 1.5magnetones por átomo de Cu. Los cálculos teóricos mostraronresultados coincidentes, pero sólo si existía una vacanciade oxígeno como vecina próxima al Cu. También predicenque el dopaje con Cu favorece la formación de vacanciasde oxígeno. En las películas de TiO2 sin dopar y dopadascon Zn se encontraron resultados similares. Estas evidenciasexperimentales y los cálculos teóricos muestran que elrol de las vacancias de oxígeno es crucial para la apariciónde ferromagnetismo en estos óxidos.
