Caracterización eléctrica y estructural de películas delgadas Snx (Sb70Te30) 100-x

J.ROCCA; F.GOLMAR; O. RODRÍGUEZ CUELLAR; M. FONTANA; M.A. UREÑA

Buenos Aires

Jornada; 103º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2018

El dopaje con esta~no ha sido propuesto para mejorar el rendimiento de materiales para memorias de cambiode fase (PCM) del sistema Ge-Sb-Te en composiciones cercanas a Ge2Sb2Te5 [1]. En un trabajo previo,encontramos que cuando las pelculas delgadas de composicion Sb70Te30 son calentadas muestran una fuertecada de la resistencia en un rango de temperatura estrecho [2]. Por tal motivo, en este trabajo estudiamos loscambios producidos por el agregado de esta~no a dicha composicion. Pelculas delgadas de composiciones Snx(Sb0;70Te0;30)100􀀀x (x = 0, 2,5, 5 y 7,5 en porcentaje atomico) fueron depositadas por ablacion laser (PLD),utilizando un laser de Nd:YAG ( = 355 nm), y caracterizadas estructuralmente por difraccion de rayos X (XRD)con radiacion K(Cu), observando mayormente un componente amorfo. La resistencia electrica de las pelculasse midio en una conguracion de dos puntas desde temperatura ambiente hasta 650 K, a velocidades de calentamientoentre 2 y 4 K/min. Las pelculas tratadas termicamente se caracterizaron por XRD con el objetode identicar los productos de cristalizacion. Comparamos nuestros resultados con los obtenidos previamente enterminos de temperatura de inicio de transformacion, rangos de temperatura de cada fase y variacion relativa dela resistencia electrica entre el estado amorfo original y la pelcula con presencia de fases cristalizadas, en funciondel contenido de esta~no.[1] W. D. Song,L. P. Shi,X. S. Miao, and T. C. Chong, Appl. Phys. Lett.90, 091904 (2007). [2] J. L. Garca,M.A. Ure~na, M. Fontana and B. Arcondo, Temperature dependence of electrical resistance in Ge-Sb-Te thin lms,7th International Conference on Amorphous and NanostructuratedChalcogenide (ANC-7), ClujNapoca, Rumania(2015).