Dependencia térmica de propiedades eléctricas en películas delgadas del sistema GeSbTe

J.L.GARCIA; J.ROCCA; M.A. UREÑA; M. FONTANA; B. ARCONDO

Merlo, San Luis

Jornada; 100º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2015

El sistema GeSbTe se ha estudiado ampliamente para su uso tanto en el campo de las memorias no volátiles eléctricas, como en las ópticas. La clave de estas aplicaciones se basa en los cambios en las propiedades físicas (conductividad eléctrica o de índice de refracción) de películas de este sistema cuando se produce la transformación estructural entre los estados amorfo y cristalino. Ambos estados son muy estables y es relativamente fácil cambiar entre ellos cuando el material estudiado se encuentre como película delgada. En este trabajo, se presentan la estructura y el comportamiento eléctrico de películas delgadas con composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5, Ge1Sb4Te7 y Sb70Te30. Las películas que fueron obtenidas por deposición por láser pulsado (PLD) utilizando un láser pulsado de Nd: YAG (λ = 355 nm) se caracterizaron estructuralmente mediante difracción de rayos X. La dependencia con la temperatura de resistencia eléctrica de las películas se estudió desde temperatura ambiente hasta 520 K con varias velocidades de calentamiento (2 - 10 K / min). Durante la cristalización, la resistencia eléctrica de la película cae varios órdenes de magnitud en un intervalo de temperatura estrecho. Se determinaron las energías de activación de conducción eléctrica de los estados amorfos y cristalinos y la temperatura de cristalización. Los productos de cristalización fueron caracterizados por difracción de rayos X. Los resultados se compararon con los obtenidos por otros autores.