INTECIN 20395
INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG"
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Propiedades eléctricas y ópticas en la conmutación amorfo-cristal del sistema Ge-Sb-Te
Autor/es:
ROCCA, J.; GARCIA, JOSÉ LUIS; M. A. UREÑA; FONTANA, M.; ARCONDO, B.
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; VI Reunión Nacional de Física del Estado Sólido; 2015
Institución organizadora:
Universidad Nacional de La Plata
Resumen:
En este trabajo se presentan las propiedadeseléctricas y ópticas de películas delgadas del sistema Ge-Sb-Te. Las películascon composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5,Ge1Sb4Te7 y Sb70Te30fueron obtenidas por deposición por láser pulsado (PLD) utilizando un láserpulsado de Nd: YAG (λ = 355 nm). Estas composiciones poseen la característicade variar significativamente sus propiedades eléctricas y ópticas cuandoconmutan del estado amorfo al cristalino. Este fenómeno resulta de interés enel campo de las memorias no volátiles eléctricas, y se ha aplicadocomercialmente en memorias ópticas (por ejemplo en DVD-RW). La clave de estasaplicaciones se basa en los cambios en las propiedades físicas (conductividadeléctrica o de índice de refracción) de las películas cuando se produce latransformación estructural entre estos estados [4]. Las películas secaracterizaron estructuralmente mediante difracción de rayos X y ópticamenteusando espectroscopía UV-visible. Se midió la transmitancia en función de lalongitud de onda determinándose la energía del gap óptico. Además se estudió laconductividad eléctrica en las películas en función de la temperatura en elrango 300-520 K. Durante la cristalización, la conductividad eléctrica de lapelícula se incrementa varios órdenes de magnitud en un intervalo detemperatura estrecho. Se determinaron las energías de activación de conduccióneléctrica de los estados amorfos y cristalinos y la temperatura decristalización.
