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Elsistema GeSbTe se ha estudiado ampliamente para su uso tanto en el campo de lasmemorias no volátiles eléctricas, como en las ópticas. La clave de estasaplicaciones se basa en los cambios en las propiedades físicas (conductividad eléctricao de índice de refracción) cuando se produce la transformación estructuralentre los estados amorfo y cristalino. Ambos estados son muy estables y esrelativamente fácil cambiar entre ellos cuando el material estudiado seencuentra como película delgada. En este trabajo, se presentan la estructura yel comportamiento eléctrico de películas delgadas con composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5, Ge1Sb4Te7 y Sb70Te30.Las películasque fueron obtenidas por deposición por láser pulsado (PLD) utilizando un láserpulsado de Nd: YAG (l = 355nm) se caracterizaron estructuralmente mediante difracción de rayos X. Ladependencia con la temperatura de resistencia eléctrica de las películas se estudiódesde temperatura ambiente hasta 520 K con varias velocidades de calentamiento(2 - 10 K/min). Durante la cristalización, la resistencia eléctrica de la películacae varios órdenes de magnitud en un intervalo de temperatura estrecho. Sedeterminaron las energías de activación de conducción eléctrica de los estadosamorfos y cristalinos y la temperatura de cristalización. Los productos de cristalizaciónfueron caracterizados por difracción de rayos X. Los resultados se compararoncon los obtenidos por otros autores.