Caracterización Ge-K y Se-K -XAFS de vidrios calcogenuros: Ge-Se y Ge-Se-Ag

E. LEDE; J. M. CONDE GARRIDO; J. A. ROCCA; M. A. UREÑA; B. ARCONDO

Campinas, San Pablo, Brasil

Encuentro; 21ª Reunião Anual de Usuários do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (21ºRAU); 2011

Los vidrios calcogenuros han provocado gran interés por sus características de baja atenuación óptica, fotodifusión, conducción iónica, etc.. En particular los sistemas AgX (GeySe1-y) 1-x (en fracción atómica) presentan notables propiedades de transporte. Vidrios con y ~ 0.25 se comportan como semiconductores para x < 0.08, mientras que para x ≥ 0.08 se convierten en conductores iónicos rápidos.[1] Diferentes modelos han sido propuestos con el fin de explicar este drástico cambio. Dicho comportamiento ha sido atribuido a la separación de fases que tienen lugar en el vidrio. Para bajas concentraciones de Ag (x < 0.08) se observa una fase rica en Ag inmersa en una matriz de bajo contenido de Ag, en tanto que para mayores concentraciones de Ag (x>0.10) esta situación se invierte. [2] En el presente estudio se investigaron sistemas Agx(Ge0.25Se0.75)1-x (0 < x ≤ 0.25) en comparación con Ag8GeSe6 empleado como compuesto cristalino patrón. Estos sólidos fueron sintetizados mediante la técnica de enfriado rápido desde el líquido, y previamente caracterizados por nuestro grupo empleando diferentes técnicas (DRX, SEM, SAXS, ME).[3, 4] Un conjunto de muestras de los materiales mencionados fueron estudiadas mediante Ge-K-XAFS y Se-K-XAFS con el objetivo de correlacionar el comportamiento eléctrico de estos sistemas con la estructura de corto rango en el entorno cercano del Ge y del Se.