Modelización ag initio del fenómeno "After-Effects" en los semiconductores SnO y SnO2 dopados con In

RUNCO, J.; RENTERÍA, M.; G.N. DARRIBA; CARBONARI, A. W.; E.L. MUÑOZ; PETRILLI, H. M.

Buenos Aires

Congreso; 103 Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2018

Facultad Cs. Exactas - UBA - Asociación Física Argentina

El fenómeno denominado ?after-effects? hace referencia a los procesos producidos por la relajación electrónica de un átomo-sonda, posteriores al decaimiento por captura electrónica de su padre radiactivo. Experimentalmente han sido observados y corroborados mediante la técnica hiperfina de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (TD-PAC) en diversos óxidos semiconductores y aisladores dopados con111In(→111Cd). Este fenómeno es evidenciado por la presencia de interacciones hiperfinas dinámicas (dependien-tes del tiempo), reversibles con la temperatura de medida y que responden a un factorde perturbaci ́on del tipo ?on-off?. En este trabajo comparamos resultados de experimentosTDPAC en SnO y SnO2dopados con111In(→111Cd) con cálculos ab initiode estructura electrónica (basados en DFT). A partir de este doble abordaje proponemos un escenario en elcual la relajación electrónica del111Cd, desde un estado inicial altamente ionizado (posterioral decaimiento nuclear) hacia un estado electr ́onico final estable, producida en el tiempo quedura la ventana temporal de la medida TDPAC, da origen a la interacción hiperfina dinámicaobservada experimentalmente. De este modo proponemos que la presencia de gradientes decampo eléctrico (GCE) temporalmente fluctuantes asociados con las distintas configuracio-nes electrónicas (de la impureza y su entorno) durante el proceso de relajación, son el origendel carácter dinámico de la interacción hiperfina presente, y que el estado electrónico finalalcanzado no solo depende de la naturaleza de la impureza sino tambi ́en de la naturaleza delsistema huésped