IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
ROL DE LOS DEFECTOS ESTRUCTURALES EN LAS PROPIEDADES OPTO-MAGNÉTICAS DE PELÍCULAS DELGADAS DE ZnO.
Autor/es:
O. VÁZQUEZ ROBAINA; A. FUNDORA CRUZ; C. E. RODRÍGUEZ-TORRES; F. SOLIS-POMAR; A. F. CABRERA; E. PÉREZ-TIJERINA
Lugar:
Berisso, Pcia. Buenos Aires.
Reunión:
Otro; Nano 2018 Y-TEC; 2018
Institución organizadora:
Y-TEC, CONICET
Resumen:
El ferromagnetismo inducido por defectos en nanoestructuras de óxidos semiconductores es un tema de investigación de vigente interés debido asus potenciales aplicaciones en el campo de la espintrónica [1]. En particular, en el óxido de Zn (ZnO) se ha reportado ferromagnetismo atemperatura ambiente en sistemas nanoestructurados [2, 3].Partiendo del estudio de magnetismo en polvos de ZnO tratados en atmósferas de H2 y vacío, proponemos la existencia de una correlación entredefectos estructurales, parámetros de crecimiento y propiedades magneto-ópticas en capas nanoestructuras de ZnO (nanorods).Mediante espectrometría UV-Vis determinamos el ancho de la banda prohibida (Eg) de las capas empleando el procedimiento ASF (absorptionspectrum fitting) [4]. Los valores obtenidos para Eg indican que al aumentar la concentración de O2 se obtienen resultados más cercanos al teóricopara el ZnO (Eg ≈ 3.30 eV). Inferimos que la formación de vacancias cuando disminuye la presión parcial de oxígeno utilizada en la fabricación de laspelículas genera un mayor número de niveles de impurezas en el ZnO. A partir de las observaciones previas y medidas de AFM de lasnanoestructuras, proponemos la existencia de una relación directa entre los métodos de depósito de las capas y la formación de defectosestructurales en el origen del ferromagnetismo en las películas delgadas de ZnO. [1] Ghose, S. et al. (2015). RCS Advances, 5, 99766?99774. [2] Guglieri, C. et al. (2012).Journal of Physical. Chemistry. C , 116, 6608-6614. [3] Singh S. (2014). Nanoscale, 6,9166. [4] Ghobadi, N. (2013). International Nano Letters, 3, 1?4. [5] Li et al. (2011).Appl. Phys. Lett. 98, 152505, 1-3. [6] Xue et al. (2014). J. Appl. Phys. 115, 033902, 1-6