Caracterizacion estructural de semiconductores basados en Zn dopados por molienda mecanica 1 1 2 2

L.G.VALLUZZI; L. C. DAMONTE; M.G.VALLUZZI; M.MEYER

Congreso; 102a.RAFA; 2017

Los semiconductors II-VI son de gran interes debido a sus potenciales aplicaciones como dispositivos fotovoltaicos,spintronica, sensores, etc. Asimismo, sus particulares propiedades se ven mejoradas con el dopado deelementos de los grupos III o IV los que generan niveles donores o aceptores en la banda prohibida. Dentro deeste grupo, los compuestos semiconductores ZnTe y ZnSe han recibido mucha atencion recientemente debidoa que pueden obtenerse nanoestructuras diversas por una variedad de metodos. En particular, en este trabajopresentamos la preparacion de polvos semiconductores nano-estructurados ZnTe y ZnSe dopados con Al mediantemolienda mecanica. Se han variado diversos parametros inherentes a la molienda como la concentracion delagente dopante. La caracterizacion estructural de los materiales obtenidos se realizo mediante difraccion de rayosX (XRD), microscopa electronica de barrido (SEM) y absorcion de rayos X (XAFS). Asimismo, se caracterizaronlos polvos mediante la tecnica de aniquilacion de positrones en el modo de medidas de vidas medias. Se analizaronlos parametros de aniquilacion en funcion del tiempo de molienda y de la concentracion de dopante. Todas lastecnicas utilizadas han conrmada la sustitucion cationica del Al en la estructura del ZnO.