IFLP 13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Caracterización estructural de semiconductores basados en Zn dopados por molienda mecánica
Autor/es:
LUCAS G. VALLUZZI; MARCOS MEYER; MARCOS G. VALLUZZI; L.C. DAMONTE
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; 102 Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2017
Resumen:
Los semiconductores II-VI son de gran interés debido a sus potenciales aplicaciones. Asimismo, sus particulares propiedades se ven mejoradas con el dopado de elementos de los grupos III o IV los que generan niveles donores o aceptores en la banda prohibida. Dentro de este grupo, los compuestos semiconductores ZnTe y ZnSe han recibido mucha atención. En particular, en este trabajo presentamos la preparación de polvos semiconductores nano-estructurados ZnTe y ZnSe dopados con Al mediante molienda mecánica. Todas las técnicas utilizadas han confirmado la sustitución catiónica del Al en la estructura del ZnO.
