IFLP 13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio ab initio de propiedades estructurales y electrónicas de impurezas Ta en SnO2
Autor/es:
G. DARRIBA; E. MUÑOZ; L. ERRICO; M. RENTERÍA
Lugar:
Villa Carlos Paz, Córdoba
Reunión:
Congreso; 97 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2012
Institución organizadora:
Asociación Física Argntina
Resumen:
En este trabajo presentamos cálculos de primeros principios
de propiedades estructurales y electrónicas de impurezas Ta substitucionales en el sitio
de catión en el semiconductor SnO2. Dichos
cálculos fueron realizados con el método Full-Potential Augmented Plane Wave plus
local orbitals (FP-APW+lo), en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT), a través
de su implementación en el código WIEN2k. Los
cálculos ab initio del tensor Gradiente de
Campo Eléctrico (GCE) son comparados con resultados experimentales de
Correlaciones
