Oxidos semiconductors con estructura corundum: propiedades estructurales y electrónicas en sitios de impureza Ta

G. N. DARRIBA; E. L. MUÑOZ; L. A. ERRICO; P. D. EVERSHEIM; D. RICHARD; M. RENTERIA

Malargüe, Mendoza

Conferencia; 95 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2010

Asociacion Fisica Argentina

Trabajo presentado en forma de poster durante la conferenciaEn este trabajo realizamos una revision de las propiedades estructurales y electronicas de oxidosbinarios con estructura corundum (-Al2O3, -Fe2O3 y -Cr2O3) dopados con Ta, obtenidas de la comparacion de resultados experimentales del tensor Gradiente de Campo Electrico (GCE) y calculos ab initio. Los resultados experimentales provienen de experimentos de Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (PAC) realizados sobre muestras monocristalinas y policristalinas, implantadas con iones 181Hf(181Ta) en el acelerador de iones del H-ISKP de la Universidad de Bonn. Los calculos ab initio fueron realizados con el metodo FP-APW+lo (utilizando el codigo WIEN2k), en el marco de la Teoria de la Funcional Densidad (DFT), con una dilucion de impureza de 1:12. Entre los resultados mas interesantes es de destacar que la magnitud de las relajaciones estructurales sufridas en el entorno de la impureza son proporcionales a la relacion entre los radios ionicos de la impureza (Ta) y el cation que reemplaza en la red. Ademas en todos los casos las distancias finales de equilibrio entre la impureza y los oxigenos primeros vecinos tienden a la distancia que existe entre el Ta y los oxigenos en sus oxidos, Ta2O5 y TaO2. En todos los casos se encontro que la impurezaesta parcialmente ionizada. Las contribuciones al GCE de las orbitales p y d presentan un peso relativo diferente al observado en oxidos con otras estructuras como la rutilo, donde la contricion p domina.