Estudio PAC de interacciones hiperfinas dinámicas en el semiconductor Sc2O3 dopado con (111In)111Cd y comparación con cálculos ab initio

E. L. MUÑOZ; D. RICHARD; A. W. CARBONARI; L. A. ERRICO; M. RENTERIA

Malargüe, Mendoza

Conferencia; 95 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2010

Asociacion Fisica Argentina

Trabajo presentado en forma de poster durante la conferenciaEl estudio combinado teorico y experimental de la determinacion del Tensor Gradiente de Campo Electrico (GCE) observado en atomos-impurezas localizados en sitios de cation de oxidos semiconductores basado en tecnicas de Interacciones Hipernas y predicciones ab initio resulta ser una herramienta muy util para la caracterizacion de las relajaciones estructurales y electronicas en sistemas diluidos.En este trabajo presentamos experimentos PAC realizados en polvos de Sc2O3 difundidos con la sonda PAC (111In!)111Cd, caracterizando el tensor GCE observado por el nucleo-sonda 111Cd en ambos sitios cationicos de la red. Estos resultados son comparados con resultados de calculos de primeros principios realizados con el metodo Full-Potential Augmented Plane Wave plus local orbital (FP-APW+lo) en el marco de la Teoria de la Funcional Densidad (DFT).Las medidas fueron realizadas en el rango de temperatura 10 K-900 K. Los espectros PAC muestran interacciones bien denidas en todo el rango de temperatura caracteristico de sondas alojadas en sitios cationicos libre de defectos. Adicionalmente se aprecia un evidente amortiguamiento a temperaturas intermedias indicando la presencia de interacciones hipernas dinamicas atribuidas a los efectos posteriores (after -effects) al decaimiento por Captura Electronica del 111In. Este escenario es estudiado complementariamente con calculos ab initio de la dependencia del GCE en sitios de impureza Cd en funcion del estado de carga de la celda.