Aplicación de la ecuación de Mott-Schottky en barreras de Schottky dobles

F. SCHIPANI; C.ALDAO; M. PONCE

Montevideo

Encuentro; II Reunión Conjunta de la Sociedad Uruguaya de Física y Asociación de Física Argentina, AFA-SUF 2011,; 2011

AFA-SUF

    RESUMEN               El comportamiento capacitivo de barreras de Schottky dobles, que regularmente se encuentran en semiconductores policristalinos, es reevaluado.  Encontramos que la versión regularmente utilizada de la ecuación de Mott-Schottky puede conducir a errores significativos.  Aún cuando nos encontremos ante barreras con un fuerte pinning y en ausencia de niveles profundos, mostramos que la ecuación de Mott-Schottky puede resultar inadecuada y, consecuentemente, dar lugar a grandes errores que se originan en la manera cómo la tensión aplicada se distribuye entre las barreras.  Experimentos llevados a cabo con óxido de zinc policristalino corroboran las tendencias predichas por nuestro modelo.