Estudio experimental y de primeros principios del semiconductor ZnO dopado con 181Hf/181Ta

E.L. MUÑOZ; D. RICHARD; L.A. ERRICO; P.D. EVERSHEIM; M. RENTERÍA

Rosario

Congreso; 94 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2009

Asociación Física Argentina

En los últimos años, cálculos de primeros principios en el marco de la teoría de la Funcional Densidad (DFT) han sido aplicados con éxito al estudio de semiconductores dopados, permitiendo la descripción de interesantes propiedades estructurales y electrónicas en impurezas metálicas. El método ab initio FullPotential Augmented Plane Wave plus local orbitals (FP-APW+lo) permite hoy uno de los cálculos más precisos del tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE) en impurezas, en particular, aquellas localizadas substitucionalmente en sitios de catión libres de defectos. A partir de un estudio combinado hiperfino experimental-ab initio, las perturbaciones estructurales y electrónicas producidas por la inclusión de la impureza Ta en la red huésped pueden ser determinadas con gran precisión [PRL89, 55503(2002) y PRB 67, 144104 (2003)]. En este trabajo presentamos resultados preliminares de experimentos PAC en el semiconductor ZnO policristalino dopado con trazas (ppm) de iones 181Hf(181Ta), los cuales son discutidos a la luz de cálculos realizados con el método FP-APW+lo en monóxido de Zn dopado con impurezas Ta y en el marco del simple modelo de cargas puntuales (PCM).