Sobre la Teoria del Ancho de Linea del Laser Semiconductor

JAVIER GUTIERREZ, JUAN P. APARICIO

Congreso; 10° Congreso Regional de Física Estadística y Aplicaciones a la Materia Condensada; 2012

El laser semiconductor, por su versatilidad, dise~no compacto ybajo costo es un dispositivo de gran utilidad y ampliasaplicaciones. Tanto desde un punto de vista te´orico comopractico, el estudio de su ancho de l´inea es de gran interes.De acuerdo con la teoria estandar [1,2], el ancho de linea en unlaser semiconductor se debe a las fluctuaciones debidas al procesoaleatorio de emision espontanea. Dicha teoria utliza ecuaciones delangevin como aproximacion del proceso estocastico modelado.Sin embargo esta teoria presenta varias problemas. Por un lado,para que el ancho de linea predecido sea del orden del observadocada emision espontanea debe contribuir a una variacion enintensidad correspondiente a cientos de fotones. Por otra parte,el ancho de linea obtenido es independiente de la intensidad, unresultado que va en contra de lo esperado.En este trabajo nosotros proponemos que el origen del ancho delinea se debe a las fluctuaciones intrinsecas debidas al caracterestocastico del proceso de emision estimulada. En particularmostramos que el proceso de emision espontanea es despreciable enel regimen laser. En este nuevo enfoque el ancho de linea esproporcional a la raiz de la intensidad como es de esperar.