AUMENTO DE LA FOTOCONDUCTIVIDAD Y SINTONIZACIÓN FINA DE LA RESPUESTA EN MICROCAVIDADES DE SILICIO POROSO NANOESTRUCTURADO

RAÚL URTEAGA; O. MARÍN; L.N. ACQUAROLI; D. COMEDI; J.A. SCHMIDT; R.R. KOROPECKI

Buenos Aires

Congreso; 93a Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2008

Por medio de la luz confinada en microcavidades ópticas, se logró un fuerte aumento de la fotoconductividadeléctrica a una determinada longitud de onda en nanoestructuras de silicio poroso (SP). Para las medidas deconducción se fabricó un dispositivo tipo sándwich, donde la microcavidad está entre un electrodo transparentede SnO2 y uno de Al. La conductividad eléctrica fue medida en función de la energía del fotón. Como resultadode la localización de fotones en el defecto óptico, se obtiene un fuerte aumento de la conductancia en un estrechopico alcanzando un máximo a la energía de resonancia. Se presentan los resultados de la dependencia angular dela energía del pico de fotoconducción, y se propone una explicación de la conductividad soportado por cálculosdel campo electromagnético dentro de la microcavidad.