Resistencia diferencial negativa en silicio poroso nanoestructurado

V.J. TORANZOS; O. MARÍN; RAÚL URTEAGA; D. COMEDI; R.R. KOROPECKI

Bariloche

Congreso; 98 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2013

El silicio poroso nanoestructurado (SP) es un material cuyas características eléctricas y ópticas lo hacen interesante para ser utilizado en componentes electrónicos. Este material realizado bajo ciertas condiciones presentaresistencia diferencial negativa (RDN). En este trabajo estudiamos dispositivos basados en multicapas de SP enconfiguración sándwich (tipo S) y en capas simples en configuración planar (tipo P). El SP se preparó por anodizadode silicio monocristalino utilizando una solución fluorada. Durante el anodizado se modificó periódicamente ladensidad de corriente empleada para obtener capas de diferentes porosidades. En el caso de los dispositivostipo S, las multicapas se mantuvieron en el sustrato de silicio monocristalino precursor, uno de los contacto serealizó con pintura de plata sobre el silicio cristalino y el otro se realizó depositando plata por medios químicos.Posteriormente, se oxid´o el SP mediante tratamiento térmico. En el caso de los dispositivos tipo P, las capas simplesfueron separadas del sustrato mediante un pulso de alta densidad de corriente y transferidas a un sustrato de vidrio,al cual previamente se le depositaron contactos de aluminio. Ambos dispositivos mostraron RDN presentandoruido telegráfico. El comportamiento observado se puede atribuir al bloqueo/desbloqueo coulombiano de canalesde conducción en el silicio poroso. Experimentos a baja temperatura permiten descartar efecto t´unel resonantecomo causante de estos efectos. Se demuestra que este efecto tiene potencial aplicaci´on para la fabricación dedispositivos volátiles de almacenamiento de información.