INVESTIGADORES
URTEAGA Raul
congresos y reuniones científicas
Título:
Conmutación de la polaridad de un diodo Al/SP/Al
Autor/es:
O. MARÍN; RAÚL URTEAGA; D. COMEDI; R.R. KOROPECKI
Lugar:
Carlos Paz
Reunión:
Congreso; 97 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2012
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
En
este trabajo se estudiaron las propiedades de transporte en estructuras
aluminio/silicio poroso/aluminio (Al/SP/Al)
tipo sándwich sometidas a pulsos de tensión elevados. Las capas de SP para las
distintas muestras fueron fabricadas vía anodización de silicio cristalino.
Para esto se usó una solución de HF:Etanol en proporción 1:2 y una densidad de
corriente de anodizado de 20 mA/cm2 obteniéndose muestras de 750
nm y 60% de porosidad. Después de
obtenida la capa de SP, se aplicó una corriente de elecropulido de 360 mA/cm2
durante 4 segundos, lo cual permitió la separación de la película porosa del
sustrato precursor, la misma fue transferida a un vidrio con electrodos de
aluminio previamente fabricados, finalmente, para completar el dispositivo se
evaporó un segundo electrodo de aluminio sobre la cara superior del SP. Las curvas IV de estos
dispositivos recién construidos mostraron
un comportamiento simétrico. Después de aplicar por un tiempo prolongado un
campo eléctrico elevado EP al
dispositivo (~ 7 MV/m), se observó un comportamiento tipo diodo, favoreciéndose
la conducción en el sentido en el que se aplicó el campo eléctrico. Se encontró
para todos los casos estudiados que al invertir la dirección de EP,
también se invierte la dirección preferencial de conducción, observándose de
esta manera una conmutación de la polaridad; dicha conmutación es estable y se
logró reproducir en una misma muestra alternando la dirección del campo
eléctrico. Además se observó una disminución de la corriente máxima en la curva
IV después de someter la muestra a un cortocircuito que no depende únicamente
de la magnitud de EP. Esto fue interpretado a través de la
acumulación de carga positiva en el silicio poroso y la lenta relajación de
dicha carga atrapada. Como probable mecanismo para la formación del diodo y la
conmutación del mismo, se propone la acumulación preferencial de carga positiva
en la interfaz formada entre el silicio poroso y el contacto de aluminio
polarizado positivamente. Este efecto podría utilizarse para la construcción de
memorias de tipo resistivo.