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El estudio de los semiconductores magnéticos diluidos seha tornado importante debido a sus posibles aplicaciones en dispositivos paraespintrónica, también como fuentes de electrones con espín polarizado. Parasemiconductores, Toyozawa[1] propuso una teoría para explicar la magnetorresistencia (MR) negativa como unaconsecuencia de momentos magnéticos locales que se alinean debido a un campomagnético aplicado. Este alineamiento disminuye la dispersión de los electronesde conducción y por lo tanto reduce la conductividad eléctrica. Por otra parte,Appelbaum[2], propone un modelo teórico para explicar la dependencia de laconductividad con la temperatura cuandohay un campo magnético aplicado en junturas metal-óxido-metal y que sonaplicables a semiconductores con defectos o impurezas. Hemos fabricado láminas delgadasde ZnO dopadas con Na, de 54 nm de espesor, con un equipo de ablaciónpor láser pulsado (PLD). En este trabajo presentamos la caracterización de las propiedadesmagnéticas, ópticas, de transporte eléctrico y estructural de las mismas. Se ha medido MR en unrango de temperaturas de 4 a150K con campo magnético aplicado, paralelo al plano de la muestra y a ladirección de la corriente, en un rango de 0 a 16T. Se realizaron ajustes satisfactoriosde las curvas de MR empleando el modelo de Appelbaum, y se dio unainterpretaron física a los parámetros de dicho modelo. [1] Y. Toyozawa, Journalof the Physical Society of Japan, Vol. 17 (1962)[2]Joel A. Appelbaum, Phyical Review, Vol 154, N° 3 (1967)