INFINOA   26585
INSTITUTO DE FISICA DEL NOROESTE ARGENTINO
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudios de Superficie de Nanoestructuras Semiconductoras
Autor/es:
TIRADO, MONICA; TOSI EZEQUIEL; COMEDI, DAVID
Lugar:
TUCUMAN
Reunión:
Encuentro; 2do. Encuentro Científico de Investigadores de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología de la Universidad Nacional de Tucumán: ECIFACET 2019; 2019
Institución organizadora:
Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologia, Universidad nacional de Tucumán
Resumen:
Los nanohilos semiconductores son materiales básicos para el desarrollo de una nueva electrónica flexible donde pueden funcionar como elementos activos o como conectores, dando origen a dispositivos versátiles desde el régimen nanométrico hasta la escala macroscópica. Prácticamente todas sus aplicaciones dependen sensiblemente de la capacidad de controlar la síntesis de las nanoestructuras y sus propiedades electrónicas y ópticas. En este contexto, debido a su pequeño volumen y alta área de superficie específica, el estado de la superficie juega un rol preponderante, y para controlarla es muy importante conocer sus propiedades características, y su modificación ante procesos de adsorción, desorción, y otras modificaciones, sean estructurales o de composición química. Es bien sabido, además, que las propiedades eléctricas en los semiconductores, en particular, dependen de la superficie. Resulta entonces fundamental comprender y controlar las propiedades de las superficies que conforman una nanoestructura de semiconductores.En este Trabajo, se propone como objetivo el generar conocimiento relevante a la comprensión de fenómenos fisicoquímicos que afectan procesos superficiales en nanoestructuras de semiconductores de importancia para la determinación de sus propiedades electrónicas. En particular, se plantea estudiar los estados electrónicos de superficie en nanohilos de ZnO, a través de métodos analíticos fisicoquímicos sensibles a la superficie. Se discuten los aspectos más relevantes respecto del crecimiento de muestras por transporte en fase vapor, caracterización en condiciones de ultra alto vacío por espectroscopía electrónica, medición y modelado de propiedades ópticas y electrónicas, análisis de morfología y propiedades de conducción a partir de microscopías electrónicas y de sonda, entre otras.