IFIS - LITORAL   24734
INSTITUTO DE FISICA DEL LITORAL
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estructura electronica del SnS dopado con Al: influencia de la simetria cristalina y la concentracion de portadores de carga sobre el orden magnetico del sistema
Autor/es:
E. A. ALBANESI; C.I. ZANDALAZINI
Lugar:
Santa Fe (Sta. Fe)
Reunión:
Congreso; 104° Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2019
Institución organizadora:
Asociacion Fisica Argentina
Resumen:
Obtener semiconductores magnéticos diluidos que se mantengan operativos a temperatura ambiente, tiene como principal interés el desarrollo de dispositivos espintrónicos. Trabajos reportados recientemente muestran que en algunos sistemas, el orden magnético observado no es propiedad exclusiva de un dopante magnético, sino que hay una importante contribución intrínseca del defecto que éste produce en la estructura del semiconductor. En determinados sistemas, se ha observado que el dopaje con átomos que poseen capas p parcialmente ocupadas (elementos no magnéticos), ofrece las condiciones energéticas necesarias para estabilizar una configuración de espín local no nulo. En este trabajo presentaremos resultados predictivos sobre la estructura electrónica del SnS puro y dopado con aluminio. Se estudiaron diferentes estructuras cristalográficas del SnS, analizando la eventual formación de momento magnético local, las condiciones para que haya interacción entre éstos, y su dependencia con la concentración de portadores de carga. Los resultados fueron obtenidos mediante la teoría de la funcional densidad, utilizando un esquema basado en pseudopotenciales, y considerando la funcional de intercambio-correlación descrita por la aproximación del gradiente generalizado (GGA), dentro de formalismo de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE).