Modelado de transistores de Efecto de campo basados en grafeno: una aplicación con Lys, Gly, Tyr and Phe

E. A. ALBANESI; S.J. RODRIGUEZ

Buenos Aires, Argentina

Congreso; Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2018

Asociacion Fisica Argentina

Las múltiples propiedades físicas y químicas del grafeno, lo convierten en un candidatoclave para el diseño de transistores de efecto de campo (GFETs, por sus siglas en inglésgraphene-based field-effect transistor) con aplicaciones en el sensado de moléculasbiológicas. Los GFETs se componen de tres contactos metálicos (fuente, drenaje y puerta) yun canal de grafeno, donde, mediante un campo eléctrico, se controla la conductividad y latransmisión del canal. En este trabajo, se llevó a cabo el modelado computacional de undispositivo tipo GFETs con dos contactos de grafeno, haciendo uso de la teoría de ladensidad funcional (DFT) y funciones de Green fuera del equilibrio (NEGF). El estudio seenfocó en el cálculo de la transmisión de corriente a través de una hoja de grafeno antes ydespués de la adsorción de cuatro aminoácidos: lisina (Lys), glicina (Gly), tirosina (Tyr) yfenilalanina (Phe). Se presentan los resultados de transferencia de carga, densidades deestado y perfiles de las curvas de corriente vs voltaje de polarización (I-V), antes y despuésde la adsorción. De acuerdo a los resultados, se reportan: i) diferencias en los perfiles I-Vpara cada molécula adsorbida, ii) asimetrías en las curvas de transmisión y perfiles I-V,cuando el grafeno adsorbe los aminoácidos Phe y Lys, dichas asimetrías están asociadas aun comportamiento de diodo rectificador para el dispositivo propuesto.