CARACTERIZACIÓN ELECTRÓNICA Y ÓPTICA DEL AlF 3 E INTERFACES Cu-AlF 3 -Cu Y Cu-AlF 3 -W PARA EL CÁLCULO DE PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN ESCALA NANOMÉTRICA

ALBANESI, E.A.; JORGE LUIS NAVARRO SÁNCHEZ

Buenos Aires

Congreso; 6 Encuentro de Jovenes investigadores en Materiales; 2017

INTI SAM

El AlF 3 es un aislante iónico que a temperatura ambiente adopta la estructura romboédrica estable conocida como α − AlF 3 . Este material hadespertado gran interés debido a su uso potencial en diversas aplicaciones como catalizador en reacciones de intercambio halógeno, así como material del tipo film delgado para el recubrimiento o capa aisladora de materiales metálicos. En este trabajo se presentan los resultados obtenidos a partir del estudio computacional desde primeros principios más completo y detallado de las propiedades electrónicas y ópticas del AlF3 en el marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT), incluyendo los efectos de muchos cuerpos por medio de la aproximación GW para mejorar el cálculo del band gap, además del análisis de los efectos excitónicos por medio de la aproximación BSE del espectro óptico. Se presenta la comparación entre resultados teóricos del espectro de pérdida de energía electrónica (EELS) con valores experimentales medidos por medio de espectroscopia de rayos X (XPS), ultravioleta (UPS) y EELS, logrando gran coincidencia entre dichos valores, lo cual permitió dar una explicación al pico encontrado en el espectro EELS experimental en el borde de conducción donde finaliza el band-gap, el cual se atribuye a la presencia de excitones producidos por la interacción entre electrones y huecos. Finalmente se presentan los resultados obtenidos a partir del diseño de interfases Cu-AlF 3 -Cu y Cu-AlF 3 -W por medio del método de las funciones de Green de no equilibrio NEGF y DFT, con lo cual se obtuvieron las curvas de corriente voltaje I-V de los diferentes interfaces, logrando observar cual es el comportamiento de las curvas I-V en sistemas con electrodos en forma de cadena de átomos así como del rol que tiene en la transmisión de carga la presencia de una placa de Cu entre el electrodo izquierdo y la molécula de AlF3, dichos cálculosse realizaron en un rango de voltaje entre -2 y 5 V.