Magnetismo en sulfuro de estaño dopado con aluminio

C.I. ZANDALAZINI; E. A. ALBANESI

Bahia Blanca (Bs.As.), Argentina

Congreso; VII Reunion Nacional de Solidos, Bahia Blanca (Bs.As.); 2017

Universidad Nacional de Bahia Blanca

En el desarrollo de dispositivos espintrónicos, los semiconductores magneto-diluidos (SMD) se presentan como los materiales más promisorios para conseguir semiconductores ferromagnéticos operativos a temperatura ambiente. Sin embargo, trabajos reportados recientemente muestran que en algunos sistemas, el orden magnético observado no es propiedad exclusiva del dopante magnético considerado, sino que hay una importante contribución intrínseca del defecto que éste produce en la estructura del semiconductor. Estudios realizados en sistemas dopados con elementos no magnéticos indican que las condiciones energéticas necesarias para estabilizar una configuración de espín local no nulo se consigue también con átomos que poseen capas p parcialmente ocupadas.En este trabajo se presentaran resultados predictivos sobre el comportamiento magnético de SnS producto del dopaje con Al. Los resultados fueron obtenidos por cálculos ab initio, en el marco de la teoría del funcional densidad, analizando el origen de los momentos magnéticos locales, y de manera preliminar, la eventual posibilidad de acople entre ellos. Los cálculos se realizaron para dos estructuras cristalográficas del SnS (grupos espaciales 39-c2mb y 62-pnma), permitiendo así determinar la influencia de las distancias relativas entre elemento dopante y primeros vecinos, en las propiedades electrónicas y magnéticas del sistema.