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En los semiconductores amorfos resulta de interés conocer la densidad de estados en el gap, debido a que son los estados localizados los que gobiernan las propiedades de transporte de estos materiales. Diversas fórmulas se han propuesto para la obtención de la densidad de estados a partir de mediciones fotoconductivas; particularmente las obtenidas por Ventosinos [1] y Longeud [2], permiten obtener la cola de banda aceptora a partir de la medición del tiempo de vida de pequeña señal t? (que puede obtenerse de la técnica MGT/OPG) y mediciones de la conductividad eléctrica bajo iluminación uniforme. Hemos encontrado analíticamente dos nuevas fórmulas que permiten obtener también la densidad de estados en la cola de banda donora, si además se efectúan mediciones para obtener la longitud de difusión ambipolar Lamb (obtenible a partir de la técnica SSPG [3]). En este trabajo, se utilizará una simulación numérica para testear las cuatro fórmulas mencionadas en el párrafo anterior en la obtención de las colas de banda del silicio amorfo hidrogenado. Debido a que la densidad de estados del silicio amorfo hidrogenado depende de la técnica de deposición, simulaciones con distintas densidades de estados correspondientes a distintas calidades de silicio amorfo hidrogenado fueron realizadas. El objetivo de estas simulaciones es definir un procedimiento óptimo para la obtención de cada uno de los parámetros que definen las colas de banda.[1] F. Ventosinos, N. Budini, C. Longeaud, J.A. Schmidt, J. Phys. D: Appl. Phys. 44 (2011) pp.2951031?29510312. C.[2] Longeaud, J.A. Schmidt, "a-Si:H transport parameters from experiments based onphotoconductivity", Journal of Non-Crystalline Solids, 358 (2012) pp. 2052?2056.[3] D. Ritter, K. Weiser, and E. Zeldov, Journal of Applied Physics 62(11), (1987) pp. 4563?4570.