El rol de las vacancias atómicas en calcogenuros semiconductores

NAVARRO SÁNCHEZ J. L. ; ZANDALAZINI C.I.; ALBANESI E. A.

San Miguel de Tucumán

Congreso; 101º Reunióon de la Asociación de Física Argentina; 2016

Asociación de Física Argentina

Las implicaciones que los defectos puntuales(vacancias, autoinsterticiales, antisitios, e impurezas) tienen sobre laspropiedades físicas de los semiconductores son determinantes al momento deconsiderar sus potenciales aplicaciones tecnológicas. Estas ofrecen además, laposibilidad de sintonizar las propiedades optoelectrónicas para ciertos semiconductores.Sin embargo, desde un enfoque experimental, su estudio presenta ciertaslimitaciones debido a las dificultades de controlar una producción homogénea dedefectos en el material. Actualmente, hay reportes fuertemente controversialessobre el rol que cumplen los dopantes no magnéticos sobre las propiedadesmagnéticas observadas, en particular, cuando en los semiconductores se presentauna coexistencia con vacancias catiónicas. En este trabajo, presentaremos unestudio enfocándonos en las implicancias de la presencia de vacancias en lossistemas cúbicos ZnX (X=S,Te,Se), y en el sistema ortorrómbico SnS, a partirdel formalismo de la teoría de la funcional densidad (DFT). Se analizaron resultadosde densidades de estados por átomo (LDOS), discriminando además la contribuciónpor capas (estados; s, p, y d) a la DOS total, en el entorno cercano a lasvacancias. Analizamos también el costo energético para cada vacancia, y laposibilidad de que estos defectos induzcan un orden magnético en el material.