Estudio teorico-experimental de la variacion del band-gap con el espesor de films delgados de SnS. Analisis por crecimiento sobre diferentes sustratos

A. NAUDI, M.V. WALZ; E.A. ALBANESI

Tandil

Congreso; 99 Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2014

Asociacion Fisica Argentina

El compuesto SnS es un semiconductor de band-gap intermedio, por lo que resulta de especial interés tecnológico para aplicaciones en dispositivos de corte rápido y celdas fotovoltaicas, así como en la fabricación de láseres y detectores infrarrojos y podría  constituirse también en un material alternativo de los films más tradicionales basado en Cd, para recubrimiento en el rango IR. En este trabajo se miden experimentalmente los band-gaps en función del espesor de los films, encontrándose diferencias según sean los sustratos vidrio (Glass) o ITO, sobre los que se crecen los films. Realizamos un modelado ab-initio de estas variaciones considerando la fase estable ortorrómbica, para los espesores experimentales depositados sobre ambos sustratos. Nuestros resultados dan cuenta de la anisotropía del material, obteniendo varias posibles direcciones en las cuales aparecen gaps, que compiten entre sí para formar el valor experimental. Sobre sustrato Glass, obtenemos un gap cuasi-directo en la dirección G->Z y otro en la dirección G->X. Para el sustrato ITO, se visualizan dos gaps en la dirección G->Z, uno indirecto y otro cuasi-directo. Se obtiene la dependencia del gap con el espesor, que resulta diferente para cada sustrato, con una buena coincidencia entre las mediciones experimentales y los calculados. El modelo teórico permite además determinar cuáles parámetros de red son los que varían en el proceso anisotrópico.