IFIS - LITORAL   24734
INSTITUTO DE FISICA DEL LITORAL
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio de la cristalización de Si amorfo mediante simulaciones de dinámica molecular clásica
Autor/es:
BUDINI, N.; TINTE, S.; DALOSTO, S.; SCHMIDT, J. A.; ARCE, R. D.
Lugar:
Puerto Iguazú, Misiones
Reunión:
Congreso; Congreso Internacional en Ciencia y Tecnología en Metalurgia y Materiales; 2013
Institución organizadora:
Asociación Argentina de Materiales
Resumen:
El silicio amorfo (a-Si) es un material que puede obtenerse por procesos de deposición de bajo costo y, por lo tanto, es interesante para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos de película delgada. De todas maneras, el a-Si en sí mismo no es un material eléctricamente útil para estos dispositivos dada su alta densidad de defectos estructurales, o enlaces colgantes, que actúan como centros de recombinación de las cargas fotogeneradas. Por tal motivo, es necesario realizar un tratamiento de recocido térmico para cristalizar el a-Si y transformarlo en un material nano-, micro- o poli-cristalino, según el tamaño final de los dominios cristalinos engendrados. Este tamaño determinará las propiedades eléctricas de los dispositivos. El recocido se realiza generalmente a presión atmosférica bajo un ambiente controlado (atmósfera de nitrógeno o argón) y a una temperatura de 600 ºC. En un trabajo reciente [J. Appl. Phys. 112 (2012) 073506] se observó experimentalmente que la cristalización del a-Si se ve favorecida si la presión se reduce considerablemente (hasta 10?6 Torr). Además, en otro trabajo [J. Appl. Phys. 111 (2012) 063509] se encontró, mediante simulaciones de dinámica molecular, que la cristalización del a-Si a presiones mayores a 1 atm también se ve favorecida. Por lo tanto, en este trabajo se estudió, mediante simulaciones de dinámica molecular clásica, la cinética de la cristalización del a-Si en condiciones de vacío o baja presión.
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