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Se estudió el transporte de carga de dispositivos basados en silicio poroso nanoestructurado (SPN). La fabricación de los mismos se realizó produciendo películas delgadas de SPN por anodizado de obleasde silicio monocristalino usando un electrolito fluorado. El proceso se concluyó con un pulso de alta densidad de corriente que permitió transferir la película de SPN a un sustrato de vidrio sobre el que seevaporó un contacto de aluminio. Sobre la superficie del silicio poroso se evaporó el otro contacto de aluminio. Luego de aplicar un campo eléctrico E de "formación" durante 4000 s entre los dos contactosse observó un comportamiento rectificante. La polarización directa del diodo resultó coincidente con el sentido de polarización de la fuente. Aplicando un campo de "inversión" de valor apropiado duranteun intervalo de tiempo largo se observó una cambio en el sentido de rectificación. Para que ocurriera esta inversión con campos de módulo comparable al de formación se requirió la aplicación del mismodurante un tiempo del orden de 4000 s. En este caso el factor de rectificación obtenido con + / - 1 V adoptó los valores de 200 y 26 respectivamente para los dos estados de rectificación. Efectos similaresse obtienen aplicando campos mayores durante tiempos menores. El efecto, que constituye una conmutación del diodo inducida por el campo, es repetible y puede ciclarse, por lo que posee potencialesaplicaciones en dispositivos de memoria. Se propone un modelo para la inversión basado en cambios producidos en las barreras metal-semiconductor, debido a efectos de electromigración superficial delhidrógeno (o de otras especies absorbidas) presente en la superficie de las nanoestructuras..