IFIS - LITORAL   24734
INSTITUTO DE FISICA DEL LITORAL
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Desarrollo de fotoresistores medioambientalmente benignos basados en timina y polivinil sulfonato
Autor/es:
J. LEDESMA; S. BORTOLATO; C. E. BOSCHETTI; D. M. MARTINO
Lugar:
Rosario
Reunión:
Congreso; XVIII Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2013
Institución organizadora:
AAIFQ
Resumen:
El éxito de la tecnología de semiconductores en las últimas décadas seha basado fundamentalmente en el tipo de fotoresistor utilizado [1]. El enfoquetradicional para su desarrollo implica la obtención de componentes pequeños a uncosto reducido, sin considerar, en general, la toxicidad del material desarrollado y supotencial impacto ambiental. El copolímero de vinilbencil timina (VBT) y vinilfenilsulfonato (VPS) es soluble en agua, ambientalmente benigno, se puede extenderformando películas delgadas sobre una gran variedad de sustratos, como por ejemploel polietilenterftalato (PET), y es potencialmente útil para el desarrollo de fotoresistores[1]. La química del entrecruzamiento y la inmovilización de estos copolímeros se basaen el mecanismo natural que involucra la fotodimerización inducida por luz ultravioletade longitud de onda corta de la base nitrogenada timina del ADN [2]. La timina es uncompuesto que presenta un comportamiento ácido-base con un pKa ~ 9 y se hademostrado que a un pH mayor que su pKa, la timina existe mayoritariamente en suforma aniónica, en un equilibrio entre dos tautómeros (proporción 1:1), uno de loscuales no puede entrecruzarse [3]. Se comprobó experimentalmente que al aumentarla proporción de VPS en el copolímero, el pH de la solución aumenta hasta valorescercanos a 11, lo que produciría una disminución significativa de la eficiencia delentrecruzamiento. Sin embargo, la eficiencia y reproducibilidad del método empleadopuede depender de otros factores, como por ejemplo: el espesor del extendido, lacomposición del copolímero, etc. [1]. En este trabajo, se realizó un diseñoexperimental basado en el modelo Placket-Burman para determinar que variables sonsignificativas en el desarrollo de fotoresistores basados en VBT y VPS.
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