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La pasividad de los aceros inoxidables es atribuida a la formación de una película de óxido de hierro y cromo sobre la superficie del metal, con propiedades semiconductoras. Estas propiedades son de importancia para la compresión de los fenómenos de corrosión.El objetivo del trabajo es caracterizar las películas pasivantes formadas en aceros inoxidables solidificados unidireccionalmente (Tabla 1), y estudiar la influencia de la variación de la estructura (equiaxial, columnar y con transición de columnar a equiaxial-TCE) en la resistencia a la corrosión, así como investigar la relación entre la resistencia a la corrosión y el espaciamiento dendrítico secundario del material. Para ello se emplean técnicas potenciodinámicas y galvanostáticas, análisis de Mott Schottky y espectroscopía de impedancia electroquímica.Las medidas se realizaron en solución de Na2HPO4 0,5 M (pH 9,2), a una temperatura de 25º  1ºC. Las medidas potenciodinámicas indican una región pasiva y un máximo de corriente en la región transpasiva (a un potencial cercano a 0,6 V) asociado a la oxidación de una película interna de Cr(III) a especies de Cr(VI). Las medidas galvanostáticas realizadas sobre películas pasivas formadas previamente indican dos amesetamietos de potencial, debido al óxido de cromo y óxido de hierro, del cual surgen dos tiempos de transición, 1 y 2, respectivamente. El mayor espesor de óxido de hierro se encuentra en las estructuras equiaxial y TCE de la muestra F, mientras que las estructuras columnares de las tres probetas presentan el menor espesor, coincidiendo con un menor espaciamiento dendrítico secundario en A y F. La muestra C presenta los valores más bajos de 1 y 2 en sus tres estructuras. El análisis de Mott Schottky muestra que la película pasiva se comporta como un semiconductor tipo n en el rango de potenciales de -0,45 V a 0 V, con una densidad de donores que varía de acuerdo a la composición del acero inoxidable. También se observa que la densidad de donores varía de acuerdo al tipo de estructura para un mismo material (Figura 1). Existen evidencias de comportamiento de semiconducción tipo p.