CIFICEN   24414
CENTRO DE INVESTIGACIONES EN FISICA E INGENIERIA DEL CENTRO DE LA PROVINCIA DE BUENOS AIRES
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Coeficiente de transferencia térmica de un sistema silicio/PDMS enfriado por debajo de 273 K
Autor/es:
STIPCICH, M.; GOMBA J. M.; ARRIAGA F.
Lugar:
Buenos Aires
Reunión:
Congreso; Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2018
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
Se describe la transferencia de calor de un wafer de silicio que se sumerge en un baño frío de aceite siliconado (Polidimetilsiloxano, PDMS). La transferencia de calor del sólido al fluido está caracterizada por el coecientede transferencia téermica h. Cuando la diferencia de temperaturas a ambas lados de la interfase sólido-fluido es pequeña, h puede aproximarse por una constante. De lo contrario, h no solo depende de la temperatura instantáneasino también de la temperatura inicial de la muestra [1]. Aquí describiremos el enfriamiento de wafer de silicio como los empleados en la industria electrónica, variando esencialmente la temperatura inicial de la muestra. Encontramosque luego de un transitorio inicial, las curvas de enfriamiento pueden ser bien aproximadas por una ley de potencias, T(t) = t. A partir de esta aproximación dedujimos un modelo para el coeciente convectivo h(T),el cual se comparó con los valores calculados directamente de los datos experimentales. Los datos experimentales sugieren una relación lineal entre y la temperatura incial de la muestra. El modelo propuesto reproduce elmente el proceso de enfriado de la muestra en un rango de tiempo que va desde los 10 a los 100 segundos, siendo este el tiempo aproximado que demora la muestra en enfriarse.[1] Lee, Won Jae and Kim, Y. and Case, E. D., The effect of quenching media on the heat transfer coefficient of polycrystalline alumina, Journal of Materials Science, 1993, 28 (8), pag. 2079-2083.