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El Cd(1-x)Zn(x)Te (0  x  0,1) (CZT) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina porque así poseen mejores propiedades estructurales yeléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos X y Gamma y como sustratos ordenadores de películas epitaxiales aptaspara la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde.En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn [1, 2]. Porotro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6ºC/cm a una velocidad de 6 mm/día [3].Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución HRTEM se estudia la calidad cristalina de los materiales. Además, se determinaron conductividad eléctrica, difusividad térmica, calor específico y coeficiente Seebeck en estos materiales en función de la temperatura. Se analiza la influencia de las propiedadesestructurales en sus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.